• 当前位置:首页科研成果专利
  • 专利
    高频下具有低介电常数和损耗的含氟硅氧烷的制造方法
    • 专利类别
      发明
    • 申请号
      202010813742.1
    • 专利号
    • 申请日期
      2020/8/13
    • 第一发明人
      房强
    • 其他发明人
      房强、刘凤萍、孙晶
    • 授权日期