高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用--中国科学院上海有机化学研究所

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专利

高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用

专利类别

发明
申请号

CN202010813742.1
专利号
申请日期

2020.08.13
第一发明人

房强
其他发明人

刘凤萍、孙晶
授权日期

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