有机晶体管由于质量轻，可大面积制备和可应用于柔性基底的特点，在柔性显示、电子标签、传感器等方面具有重要应用。高性能有机半导体材料是有机晶体管的核心组成部分，是有机晶体管应用的基础。近期，上海有机所李洪祥课题组在p-型和n-型高性能有机半导体材料方面取得了一系列进展。

p-型高性能有机半导体材料方面，设计合成，并发展了一种高效的、克量级合成6,13-二氯并五苯（DCP）化合物的新方法（J. Mater. Chem. 2012,22, 10496-10500）。该化合物显示了高的空穴迁移率，其最高迁移率达9.0 cm2/Vs。研究发现DCP分子在固态中的π-π堆积和大面积的π-π重叠是其呈高性能的原因。与并五苯等有机半导体材料不同，DCP在不同的组装条件下呈相同的晶相，这为构筑高重复性的器件提供了基础（Advanced Materials, 2013, 15, 2229-2233）。

 n-型高性能有机半导体方面，在合成了高性能并四噻吩醌式有机半导体材料的基础上（Chem. Mater. 2011, 23, 3138–3140），进一步设计合成了具有更高共轭长度的寡聚噻吩醌式有机半导体材料，并详细研究了烷基取代基位置对器件性能的影响。实验结果显示烷基取代基对分子在聚集态的堆积和器件性能具有重要影响，这为新型高性能n-型有机半导体材料的设计提供了新思路。上述结果发表在Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 2277-2284上，并被选为VIP paper。上述工作得到了国家自然科学基金委、科技部、上海市科委和中国科学院的资助。