上海有机所在n-型有机半导体材料研究方面取得重要进展
不同于以往在缺电子的芳核上直接引入拉电子基团(如氰基、氟原子)来设计n-型有机半导体材料的方法,上海有机所高分子材料研究室的研究人员采用在缺电子的芳核上稠合富电子的硫杂环(提高迁移率),并结合拉电子的丙二氰基团封端的策略(保证稳定性),发展了一类新的可溶液加工的n-型有机半导体材料,2-(1,3-二硫-2-叶立德)丙二氰稠合的萘酰亚胺衍生物(图1,R为长的分支烷基),他们与化学所有机固体院重点实验室的研究人员合作,用溶液加工的方法制备了该类分子材料的OTFT器件,电子迁移率高达0.51 cm2V?1s?1,开关比大于105,阈值电压低于10 V,且器件具有良好的空气稳定性和操作稳定性(图2),器件的迁移率和稳定性在已报道的可溶液加工的n-型有机小分子材料中是最好的。相关工作申请了中国发明专利,部分结果以通讯的形式发表在《美国化学会志》(J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 3697-3699)上。
图1. 分子材料OTFT器件的结构示意图及器件的转移曲线
图2.分子材料OTFT器件的稳定性测试
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